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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFP250MPBF
IRFP250MPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFP250MPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFP250MPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFP250MPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Descrição detalhada
Embalagem
TO-247-3
Ficha de dados
IRFP250MPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 31795

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFP250MPBF
Infineon Technologies - IRFP250MPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFP250MPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247AC  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 75mOhm @ 18A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 214W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-247-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2159 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Número do produto base IRFP250  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFP250MPBF

Atributo do Produto IRFP250MPBF IRFP254PBF IRFP254NPBF IRFP244PBF
Modelo do Produto IRFP250MPBF IRFP254PBF IRFP254NPBF IRFP244PBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipação de energia (Max) 214W (Tc) 190W (Tc) 220W (Tc) 150W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Série HEXFET® - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
RDS ON (Max) @ Id, VGS 75mOhm @ 18A, 10V 140mOhm @ 14A, 10V 125mOhm @ 14A, 10V 280mOhm @ 9A, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V 250 V 250 V 250 V
Número do produto base IRFP250 IRFP254 IRFP254 IRFP244
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2159 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V 2040 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Característica FET - - - -
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 23A (Tc) 23A (Tc) 15A (Tc)
Pacote Tube Tube Tube Tube

IRFP250MPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFP250MPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFP250MPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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