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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFP4468PBF
IRFP4468PBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFP4468PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFP4468PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFP4468PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Descrição detalhada
Embalagem
TO-247-3
Ficha de dados
IRFP4468PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 8226

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFP4468PBF
Infineon Technologies - IRFP4468PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFP4468PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247AC  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.6mOhm @ 180A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 520W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-247-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 19860 pF @ 50 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 540 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Número do produto base IRFP4468  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFP4468PBF

Atributo do Produto IRFP4468PBF IRFP448 IRFP450A IRFP450
Modelo do Produto IRFP4468PBF IRFP448 IRFP450A IRFP450
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix IXYS
Caixa / Gabinete TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Número do produto base IRFP4468 IRFP448 IRFP450 IRFP45
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Série HEXFET® - - -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.6mOhm @ 180A, 10V 600mOhm @ 6.6A, 10V 400mOhm @ 8.4A, 10V 400mOhm @ 8.4A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET - - - -
Dissipação de energia (Max) 520W (Tc) 180W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AD
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 11A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 540 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Pacote Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 500 V 500 V 500 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 19860 pF @ 50 V 1900 pF @ 25 V 2038 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFP4468PBF PDF da folha de dados

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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  2. Outros mais formas de remessa, entre em contato com seu gerente de clientes.

Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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