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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFR1205TRPBF
IRFR1205TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFR1205TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFR1205TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFR1205TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRFR1205TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 47570

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFR1205TRPBF
Infineon Technologies - IRFR1205TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFR1205TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 27mOhm @ 26A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 107W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)  
Número do produto base IRFR1205  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFR1205TRPBF

Atributo do Produto IRFR1205TRPBF IRFR1205TRLPBF IRFR120 IRFR11N25D
Modelo do Produto IRFR1205TRPBF IRFR1205TRLPBF IRFR120 IRFR11N25D
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V -
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V 55 V 100 V 250 V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
RDS ON (Max) @ Id, VGS 27mOhm @ 26A, 10V 27mOhm @ 26A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V -
Número do produto base IRFR1205 IRFR1205 IRFR120 IRFR11
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V -
Dissipação de energia (Max) 107W (Tc) 107W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) 44A (Tc) 7.7A (Tc) -
Característica FET - - - -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Série HEXFET® HEXFET® - -

IRFR1205TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFR1205TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFR1205TRPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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