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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFR120ZTRPBF
IRFR120ZTRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFR120ZTRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFR120ZTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFR120ZTRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRFR120ZTRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 125860

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFR120ZTRPBF
Infineon Technologies - IRFR120ZTRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFR120ZTRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 190mOhm @ 5.2A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 35W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.7A (Tc)  
Número do produto base IRFR120  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFR120ZTRPBF

Atributo do Produto IRFR120ZTRPBF IRFR12N25DTRPBF IRFR120TR IRFR120TRPBF
Modelo do Produto IRFR120ZTRPBF IRFR12N25DTRPBF IRFR120TR IRFR120TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 250 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número do produto base IRFR120 - IRFR120 IRFR120
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Dissipação de energia (Max) 35W (Tc) 144W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 190mOhm @ 5.2A, 10V 260mOhm @ 8.4A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V
Característica FET - - - -
Série HEXFET® HEXFET® - -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.7A (Tc) 14A (Tc) 7.7A (Tc) 7.7A (Tc)

IRFR120ZTRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFR120ZTRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFR120ZTRPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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