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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFR220NTRLPBF
IRFR220NTRLPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFR220NTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFR220NTRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFR220NTRLPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRFR220NTRLPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 97290

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFR220NTRLPBF
Infineon Technologies - IRFR220NTRLPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFR220NTRLPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 600mOhm @ 2.9A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 43W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  
Número do produto base IRFR220  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFR220NTRLPBF

Atributo do Produto IRFR220NTRLPBF IRFR220NPBF IRFR220TRLPBF IRFR220PBF
Modelo do Produto IRFR220NTRLPBF IRFR220NPBF IRFR220TRLPBF IRFR220PBF
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) 5A (Tc) 4.8A (Tc) 4.8A (Tc)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Série HEXFET® HEXFET® - -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS ON (Max) @ Id, VGS 600mOhm @ 2.9A, 10V 600mOhm @ 2.9A, 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Característica FET - - - -
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Dissipação de energia (Max) 43W (Tc) 43W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Número do produto base IRFR220 - IRFR220 IRFR220
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFR220NTRLPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFR220NTRLPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFR220NTRLPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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