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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFR3709ZTRPBF
IRFR3709ZTRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFR3709ZTRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFR3709ZTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFR3709ZTRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRFR3709ZTRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 94190

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFR3709ZTRPBF
Infineon Technologies - IRFR3709ZTRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFR3709ZTRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.5mOhm @ 15A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 79W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 86A (Tc)  
Número do produto base IRFR3709  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFR3709ZTRPBF

Atributo do Produto IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZPBF IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRRPBF
Modelo do Produto IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZPBF IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 15 V 2330 pF @ 15 V 2330 pF @ 15 V 2330 pF @ 15 V
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Característica FET - - - -
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipação de energia (Max) 79W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc)
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número do produto base IRFR3709 - IRFR3709 -
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.5mOhm @ 15A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 86A (Tc) 86A (Tc) 86A (Tc) 86A (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFR3709ZTRPBF PDF da folha de dados

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Tipo de transporte

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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