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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFR3711TRPBF
IRFR3711TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFR3711TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFR3711TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFR3711TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRFR3711TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4250

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFR3711TRPBF
Infineon Technologies - IRFR3711TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFR3711TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.5mOhm @ 15A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 120W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFR3711TRPBF

Atributo do Produto IRFR3711TRPBF IRFR3711ZPBF IRFR3711TRLPBF IRFR3711Z
Modelo do Produto IRFR3711TRPBF IRFR3711ZPBF IRFR3711TRLPBF IRFR3711Z
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 93A (Tc) 100A (Tc) 93A (Tc)
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 10 V 2160 pF @ 10 V 2980 pF @ 10 V 2160 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 120W (Tc) 79W (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) 79W (Tc)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.5mOhm @ 15A, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.45V @ 250µA 3V @ 250µA 2.45V @ 250µA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 27 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 27 nC @ 4.5 V
Característica FET - - - -

IRFR3711TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFR3711TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFR3711TRPBF - Infineon Technologies.

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Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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