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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFS23N20DPBF
IRFS23N20DPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFS23N20DPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFS23N20DPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFS23N20DPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de dados
IRFS23N20DPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4080

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFS23N20DPBF
Infineon Technologies - IRFS23N20DPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFS23N20DPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 100mOhm @ 14A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFS23N20DPBF

Atributo do Produto IRFS23N20DPBF IRFS23N20D IRFS23N20DTRLP IRFS250B
Modelo do Produto IRFS23N20DPBF IRFS23N20D IRFS23N20DTRLP IRFS250B
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Fairchild Semiconductor
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK D2PAK D2PAK TO-3PF
RDS ON (Max) @ Id, VGS 100mOhm @ 14A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 85mOhm @ 10.65A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacote Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc) 21.3A (Tc)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 90W (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Característica FET - - - -

IRFS23N20DPBF PDF da folha de dados

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Mudança de status da peça PCN
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Tipo de transporte

Prazo de entrega

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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