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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFS3004TRLPBF
IRFS3004TRLPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFS3004TRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFS3004TRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFS3004TRLPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de dados
IRFS3004TRLPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 13232

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFS3004TRLPBF
Infineon Technologies - IRFS3004TRLPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFS3004TRLPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.75mOhm @ 195A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 380W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 195A (Ta)  
Número do produto base IRFS3004  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFS3004TRLPBF

Atributo do Produto IRFS3004TRLPBF IRFS3006PBF IRFS250B IRFS3006TRLPBF
Modelo do Produto IRFS3004TRLPBF IRFS3006PBF IRFS250B IRFS3006TRLPBF
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 195A (Ta) 195A (Tc) 21.3A (Tc) 195A (Tc)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.75mOhm @ 195A, 10V 2.5mOhm @ 170A, 10V 85mOhm @ 10.65A, 10V 2.5mOhm @ 170A, 10V
Série HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Número do produto base IRFS3004 - - IRFS3006
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Característica FET - - - -
Dissipação de energia (Max) 380W (Tc) 375W (Tc) 90W (Tc) 375W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 8970 pF @ 50 V 3400 pF @ 25 V 8970 pF @ 50 V
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V 60 V 200 V 60 V
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK D2PAK TO-3PF D2PAK

IRFS3004TRLPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFS3004TRLPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFS3004TRLPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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