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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFS3107-7PPBF
IRFS3107-7PPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFS3107-7PPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFS3107-7PPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFS3107-7PPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Ficha de dados
IRFS3107-7PPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 5030

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFS3107-7PPBF
Infineon Technologies - IRFS3107-7PPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFS3107-7PPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK (7-Lead)  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.6mOhm @ 160A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 370W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 50 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 75 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 240A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFS3107-7PPBF

Atributo do Produto IRFS3107-7PPBF IRFS31N20DPBF IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRL7PP
Modelo do Produto IRFS3107-7PPBF IRFS31N20DPBF IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRL7PP
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Pacote Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica FET - - - -
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK (7-Lead) D2PAK D2PAK D2PAK (7-Lead)
Caixa / Gabinete TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 240A (Tc) 31A (Tc) 195A (Tc) 240A (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.6mOhm @ 160A, 10V 82mOhm @ 18A, 10V 2.5mOhm @ 170A, 10V 2.1mOhm @ 168A, 10V
Dissipação de energia (Max) 370W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 50 V 2370 pF @ 25 V 8970 pF @ 50 V 8850 pF @ 50 V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 75 V 200 V 60 V 60 V

IRFS3107-7PPBF PDF da folha de dados

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Tipo de transporte

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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