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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFS3306TRLPBF
IRFS3306TRLPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFS3306TRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFS3306TRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFS3306TRLPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de dados
IRFS3306TRLPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 19998

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies - IRFS3306TRLPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFS3306TRLPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 230W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Número do produto base IRFS3306  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFS3306TRLPBF

Atributo do Produto IRFS3306TRLPBF IRFS3207TRLPBF IRFS3307ZPBF IRFS3207ZPBF
Modelo do Produto IRFS3306TRLPBF IRFS3207TRLPBF IRFS3307ZPBF IRFS3207ZPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V 75 V 75 V 75 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V 7600 pF @ 50 V 4750 pF @ 50 V 6920 pF @ 50 V
Dissipação de energia (Max) 230W (Tc) 300W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET - - - -
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base IRFS3306 IRFS3207 - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263)
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 170A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.2mOhm @ 75A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V

IRFS3306TRLPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFS3306TRLPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFS3306TRLPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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