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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFS4010-7PPBF
IRFS4010-7PPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFS4010-7PPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFS4010-7PPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFS4010-7PPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Ficha de dados
IRFS4010-7PPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4460

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFS4010-7PPBF
Infineon Technologies - IRFS4010-7PPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFS4010-7PPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4mOhm @ 110A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 380W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9830 pF @ 50 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 190A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFS4010-7PPBF

Atributo do Produto IRFS4010-7PPBF IRFS4020TRLPBF IRFS4020PBF IRFS38N20DTRRP
Modelo do Produto IRFS4010-7PPBF IRFS4020TRLPBF IRFS4020PBF IRFS38N20DTRRP
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipação de energia (Max) 380W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 5V @ 250µA
Caixa / Gabinete TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Série HEXFET® - - HEXFET®
Característica FET - - - -
Pacote Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 190A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc) 43A (Tc)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 200 V 200 V 200 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9830 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4mOhm @ 110A, 10V 105mOhm @ 11A, 10V 105mOhm @ 11A, 10V 54mOhm @ 26A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFS4010-7PPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFS4010-7PPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFS4010-7PPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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