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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFU024NPBF
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFU024NPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFU024NPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFU024NPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ficha de dados
IRFU024NPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 3860

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFU024NPBF
Infineon Technologies - IRFU024NPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFU024NPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor IPAK (TO-251AA)  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 75mOhm @ 10A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 45W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Número do produto base IRFU024  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFU024NPBF

Atributo do Produto IRFU024NPBF IRFU020PBF IRFU1018EPBF IRFU024
Modelo do Produto IRFU024NPBF IRFU020PBF IRFU1018EPBF IRFU024
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix International Rectifier Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 2290 pF @ 50 V 640 pF @ 25 V
Série HEXFET® - HEXFET® -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 75mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número do produto base IRFU024 IRFU - IRFU
Embalagem do dispositivo fornecedor IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Dissipação de energia (Max) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Característica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V 60 V 60 V 60 V
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote Tube Tube Bulk Tube
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V - 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 14A (Tc) 56A (Tc) 14A (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFU024NPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFU024NPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFU024NPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
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Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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