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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFU120NPBF
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFU120NPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFU120NPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFU120NPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ficha de dados
IRFU120NPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 72440

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFU120NPBF
Infineon Technologies - IRFU120NPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFU120NPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor IPAK (TO-251AA)  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 210mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 48W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)  
Número do produto base IRFU120  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFU120NPBF

Atributo do Produto IRFU120NPBF IRFU120 IRFU15N20DPBF IRFU1205
Modelo do Produto IRFU120NPBF IRFU120 IRFU15N20DPBF IRFU1205
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 100 V 200 V 55 V
Pacote Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc) 7.7A (Tc) 17A (Tc) 44A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipação de energia (Max) 48W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 110W (Tc) 107W (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Número do produto base IRFU120 IRFU1 - -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 210mOhm @ 5.6A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V 165mOhm @ 10A, 10V 27mOhm @ 26A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Embalagem do dispositivo fornecedor IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Série HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V

IRFU120NPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFU120NPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFU120NPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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