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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFU5410PBF
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFU5410PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFU5410PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFU5410PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ficha de dados
IRFU5410PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 100400

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFU5410PBF
Infineon Technologies - IRFU5410PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFU5410PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor IPAK (TO-251AA)  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 205mOhm @ 7.8A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 66W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Número do produto base IRFU5410  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFU5410PBF

Atributo do Produto IRFU5410PBF IRFU5505PBF IRFU5305PBF IRFU9014
Modelo do Produto IRFU5410PBF IRFU5505PBF IRFU5305PBF IRFU9014
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 55 V 55 V 60 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Número do produto base IRFU5410 IRFU5505 IRFU5305 IRFU9
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote Tube Tube Tube Tube
Característica FET - - - -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V 650 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipação de energia (Max) 66W (Tc) 57W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 205mOhm @ 7.8A, 10V 110mOhm @ 9.6A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Embalagem do dispositivo fornecedor IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 18A (Tc) 31A (Tc) 5.1A (Tc)

IRFU5410PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFU5410PBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFU5410PBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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