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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRL40B212
IRL40B212 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRL40B212 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRL40B212
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRL40B212
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRL40B212.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4290

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRL40B212
Infineon Technologies - IRL40B212 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRL40B212

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série HEXFET®, StrongIRFET™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.9mOhm @ 100A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 231W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8320 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Número do produto base IRL40B212  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRL40B212

Atributo do Produto IRL40B212 IRL3803STRLPBF IRL510PBF IRL40SC228
Modelo do Produto IRL40B212 IRL3803STRLPBF IRL510PBF IRL40SC228
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Série HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® - StrongIRFET™
Dissipação de energia (Max) 231W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 43W (Tc) 416W (Tc)
Pacote Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8320 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 19680 pF @ 25 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB D2PAK TO-220AB D2PAK (7-Lead)
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 150µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.9mOhm @ 100A, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V 0.65mOhm @ 100A, 10V
Característica FET - - - -
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±10V ±20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 140A (Tc) 5.6A (Tc) 557A (Tc)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V 30 V 100 V 40 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V 307 nC @ 4.5 V
Número do produto base IRL40B212 IRL3803 IRL510 IRL40SC228

IRL40B212 PDF da folha de dados

Faça o download do IRL40B212 PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRL40B212 - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
Entre em contato conosco se tiver alguma dúvida.

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