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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLB8721PBF
IRLB8721PBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLB8721PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLB8721PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLB8721PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRLB8721PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 98400

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLB8721PBF
Infineon Technologies - IRLB8721PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLB8721PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.7mOhm @ 31A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 65W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1077 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 62A (Tc)  
Número do produto base IRLB8721  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLB8721PBF

Atributo do Produto IRLB8721PBF IRLBA3803P IRLB4132PBF IRLB8748PBF
Modelo do Produto IRLB8721PBF IRLBA3803P IRLB4132PBF IRLB8748PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacote Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 62A (Tc) 179A (Tc) 78A (Tc) 92A (Tc)
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Característica FET - - - -
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1077 pF @ 15 V 5000 pF @ 25 V 5110 pF @ 15 V 2139 pF @ 15 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipação de energia (Max) 65W (Tc) 270W (Tc) 140W (Tc) 75W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB SUPER-220™ (TO-273AA) TO-220AB TO-220AB
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.7mOhm @ 31A, 10V 5mOhm @ 71A, 10V 3.5mOhm @ 40A, 10V 4.8mOhm @ 40A, 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 54 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-273AA TO-220-3 TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 1V @ 250µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 50µA
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Número do produto base IRLB8721 - IRLB4132 IRLB8748
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V

IRLB8721PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRLB8721PBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRLB8721PBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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