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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLH5034TRPBF
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLH5034TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLH5034TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLH5034TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN
Descrição detalhada
Embalagem
8-PowerVDFN
Ficha de dados
IRLH5034TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 5360

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLH5034TRPBF
Infineon Technologies - IRLH5034TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLH5034TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-PQFN (5x6)  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.4mOhm @ 50A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)  
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4730 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 29A (Ta), 100A (Tc)  
Número do produto base IRLH5034  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLH5034TRPBF

Atributo do Produto IRLH5034TRPBF IRLD110PBF IRLD120 IRLD024
Modelo do Produto IRLH5034TRPBF IRLD110PBF IRLD120 IRLD024
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Série HEXFET® - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.4mOhm @ 50A, 10V 540mOhm @ 600mA, 5V 270mOhm @ 780mA, 5V 100mOhm @ 1.5A, 5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 6.1 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±16V ±10V ±10V ±10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 29A (Ta), 100A (Tc) 1A (Ta) 1.3A (Ta) 2.5A (Ta)
Número do produto base IRLH5034 IRLD110 IRLD120 IRLD024
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V 100 V 100 V 60 V
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-PQFN (5x6) 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4730 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Característica FET - - - -
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Dissipação de energia (Max) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V

IRLH5034TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRLH5034TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRLH5034TRPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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