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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLI530NPBF
IRLI530NPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLI530NPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLI530NPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLI530NPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3 Full Pack
Ficha de dados
IRLI530NPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4500

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLI530NPBF
Infineon Technologies - IRLI530NPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLI530NPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB Full-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 100mOhm @ 9A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 41W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLI530NPBF

Atributo do Produto IRLI530NPBF IRLI530G IRLI530N IRLI540G
Modelo do Produto IRLI530NPBF IRLI530G IRLI530N IRLI540G
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Série HEXFET® - HEXFET® -
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB Full-Pak TO-220-3 PG-TO220-FP TO-220-3
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V
Característica FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 100mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V 77mOhm @ 10A, 5V
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dissipação de energia (Max) 41W (Tc) 42W (Tc) 41W (Tc) 48W (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 9.7A (Tc) 12A (Tc) 17A (Tc)
Pacote Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V

IRLI530NPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRLI530NPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRLI530NPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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