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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLML0060TRPBF
IRLML0060TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLML0060TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLML0060TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLML0060TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Descrição detalhada
Embalagem
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de dados
IRLML0060TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 196150

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLML0060TRPBF
Infineon Technologies - IRLML0060TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLML0060TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 25µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor Micro3™/SOT-23  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 92mOhm @ 2.7A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 1.25W (Ta)  
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)  
Número do produto base IRLML0060  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLML0060TRPBF

Atributo do Produto IRLML0060TRPBF IRLML2030TRPBF IRLML0100TRPBF IRLML0040TRPBF
Modelo do Produto IRLML0060TRPBF IRLML2030TRPBF IRLML0100TRPBF IRLML0040TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Característica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 25µA 2.3V @ 25µA 2.5V @ 25µA 2.5V @ 25µA
Embalagem do dispositivo fornecedor Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V 1 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 4.5 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 92mOhm @ 2.7A, 10V 100mOhm @ 2.7A, 10V 220mOhm @ 1.6A, 10V 56mOhm @ 3.6A, 10V
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 25 V 110 pF @ 15 V 290 pF @ 25 V 266 pF @ 25 V
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipação de energia (Max) 1.25W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta) 2.7A (Ta) 1.6A (Ta) 3.6A (Ta)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V ±16V
Número do produto base IRLML0060 IRLML2030 IRLML0100 IRLML0040
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V 30 V 100 V 40 V

IRLML0060TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRLML0060TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRLML0060TRPBF - Infineon Technologies.

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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