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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLML2502GTRPBF
IRLML2502GTRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLML2502GTRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLML2502GTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLML2502GTRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Descrição detalhada
Embalagem
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de dados
IRLML2502GTRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 5470

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLML2502GTRPBF
Infineon Technologies - IRLML2502GTRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLML2502GTRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor Micro3™/SOT-23  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 45mOhm @ 4.2A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 1.25W (Ta)  
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLML2502GTRPBF

Atributo do Produto IRLML2502GTRPBF IRLML2402GTRPBF IRLML2402TR IRLML2502TR
Modelo do Produto IRLML2502GTRPBF IRLML2402GTRPBF IRLML2402TR IRLML2502TR
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 1.2V @ 250µA
Série HEXFET® HEXFET® - -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 3.9 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 4.5 V 12 nC @ 5 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 15 V 110 pF @ 15 V 110 pF @ 15 V 740 pF @ 15 V
Característica FET - - - -
Dissipação de energia (Max) 1.25W (Ta) 540mW (Ta) - -
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Embalagem do dispositivo fornecedor Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta) 1.2A (Ta) 1.2A (Ta) 4.2A (Ta)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 45mOhm @ 4.2A, 4.5V 250mOhm @ 930mA, 4.5V 250mOhm @ 930mA, 4.5V 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V - -
Vgs (Max) ±12V ±12V - -
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

IRLML2502GTRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRLML2502GTRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRLML2502GTRPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
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Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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