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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLML6302TRPBF
IRLML6302TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLML6302TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLML6302TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLML6302TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Descrição detalhada
Embalagem
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de dados
IRLML6302TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 191950

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLML6302TRPBF
Infineon Technologies - IRLML6302TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLML6302TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor Micro3™/SOT-23  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 600mOhm @ 610mA, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 540mW (Ta)  
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 97 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 3.6 nC @ 4.45 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.7V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 780mA (Ta)  
Número do produto base IRLML6302  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLML6302TRPBF

Atributo do Produto IRLML6302TRPBF IRLML6302GTRPBF IRLML6346TRPBF IRLML6246TRPBF
Modelo do Produto IRLML6302TRPBF IRLML6302GTRPBF IRLML6346TRPBF IRLML6246TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Número do produto base IRLML6302 - IRLML6346 IRLML6246
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 780mA (Ta) 20V 3.4A (Ta) 4.1A (Ta)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 3.6 nC @ 4.45 V 1.5V @ 250µA 2.9 nC @ 4.5 V 3.5 nC @ 4.5 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 600mOhm @ 610mA, 4.5V 780mA (Ta) 63mOhm @ 3.4A, 4.5V 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V - 30 V 20 V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 97 pF @ 15 V 3.6nC @ 4.5V 270 pF @ 24 V 290 pF @ 16 V
Característica FET - P-Channel - -
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dissipação de energia (Max) 540mW (Ta) - 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.7V, 4.5V - 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Pacote Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor Micro3™/SOT-23 - Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
Vgs (Max) ±12V 2.7V, 4.5V ±12V ±12V
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 600 mOhm @ 610mA, 4.5V 1.1V @ 10µA 1.1V @ 5µA
Tipo FET P-Channel - N-Channel N-Channel

IRLML6302TRPBF PDF da folha de dados

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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