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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLR3110ZTRPBF
IRLR3110ZTRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLR3110ZTRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLR3110ZTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLR3110ZTRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRLR3110ZTRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 40270

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLR3110ZTRPBF
Infineon Technologies - IRLR3110ZTRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLR3110ZTRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 14mOhm @ 38A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 140W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  
Número do produto base IRLR3110  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLR3110ZTRPBF

Atributo do Produto IRLR3110ZTRPBF IRLR3114ZPBF IRLR3105TRPBF IRLR3303TR
Modelo do Produto IRLR3110ZTRPBF IRLR3114ZPBF IRLR3105TRPBF IRLR3303TR
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA 2.5V @ 100µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V 56 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V 26 nC @ 4.5 V
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 14mOhm @ 38A, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V 37mOhm @ 15A, 10V 31mOhm @ 21A, 10V
Característica FET - - - -
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 40 V 55 V 30 V
Dissipação de energia (Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 57W (Tc) 68W (Tc)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 25A (Tc) 35A (Tc)
Número do produto base IRLR3110 - IRLR3105 -
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V 3810 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V

IRLR3110ZTRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRLR3110ZTRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRLR3110ZTRPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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