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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLR3915TRPBF
IRLR3915TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLR3915TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLR3915TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLR3915TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRLR3915TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 56340

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLR3915TRPBF
Infineon Technologies - IRLR3915TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLR3915TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 14mOhm @ 30A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 120W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Número do produto base IRLR3915  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLR3915TRPBF

Atributo do Produto IRLR3915TRPBF IRLR4343PBF IRLR4132TRPBF IRLR3717TRPBF
Modelo do Produto IRLR3915TRPBF IRLR4343PBF IRLR4132TRPBF IRLR3717TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
RDS ON (Max) @ Id, VGS 14mOhm @ 30A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V - 4mOhm @ 15A, 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V - 31 nC @ 4.5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Número do produto base IRLR3915 - IRLR4132 -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA - 2.45V @ 250µA
Dissipação de energia (Max) 120W (Tc) 79W (Tc) - 89W (Tc)
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±16V ±20V - ±20V
Característica FET - - - -
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak - D-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 26A (Tc) - 120A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 25 V 740 pF @ 50 V - 2830 pF @ 10 V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V 55 V - 20 V
Série HEXFET® HEXFET® * HEXFET®

IRLR3915TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRLR3915TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRLR3915TRPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Região País Hora logística (dia)
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Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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