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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLR8259TRPBF
IRLR8259TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLR8259TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLR8259TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLR8259TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRLR8259TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 106180

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLR8259TRPBF
Infineon Technologies - IRLR8259TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLR8259TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.7mOhm @ 21A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 48W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 13 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 25 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 57A (Tc)  
Número do produto base IRLR8259  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLR8259TRPBF

Atributo do Produto IRLR8259TRPBF IRLR8503TRLPBF IRLR8256TRPBF IRLR8503TR
Modelo do Produto IRLR8259TRPBF IRLR8503TRLPBF IRLR8256TRPBF IRLR8503TR
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Característica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 25 V 30 V 25 V 30 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.7mOhm @ 21A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 5.7mOhm @ 25A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 3V @ 250µA 2.35V @ 25µA 3V @ 250µA
Número do produto base IRLR8259 - - -
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 13 V 1650 pF @ 25 V 1470 pF @ 13 V 1650 pF @ 25 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipação de energia (Max) 48W (Tc) 62W (Tc) 63W (Tc) 62W (Tc)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 57A (Tc) 44A (Tc) 81A (Tc) 44A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRLR8259TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRLR8259TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRLR8259TRPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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