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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLR8721TRPBF
IRLR8721TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLR8721TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLR8721TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLR8721TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRLR8721PbF, IRLU8721PbF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4340

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLR8721TRPBF
Infineon Technologies - IRLR8721TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLR8721TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.4mOhm @ 25A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 65W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLR8721TRPBF

Atributo do Produto IRLR8721TRPBF IRLR8726PBF IRLR8726TRPBF IRLR8726TRLPBF
Modelo do Produto IRLR8721TRPBF IRLR8726PBF IRLR8726TRPBF IRLR8726TRLPBF
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Característica FET - - - -
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak TO-252AA D-Pak D-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 65A (Tc) 86A (Tc) 86A (Tc) 86A (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.4mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipação de energia (Max) 65W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc)
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V

IRLR8721TRPBF PDF da folha de dados

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Folhas de dados
IRLR8721PbF, IRLU8721PbF.pdf

Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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