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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLR8729TRPBF
IRLR8729TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLR8729TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLR8729TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLR8729TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRLR8729TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4830

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLR8729TRPBF
Infineon Technologies - IRLR8729TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLR8729TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.9mOhm @ 25A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 55W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)  
Número do produto base IRLR8729  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLR8729TRPBF

Atributo do Produto IRLR8729TRPBF IRLR8729TRLPBF IRLR9343TRPBF IRLR8726TRLPBF
Modelo do Produto IRLR8729TRPBF IRLR8729TRLPBF IRLR9343TRPBF IRLR8726TRLPBF
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 47 nC @ 10 V 23 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipação de energia (Max) 55W (Tc) 55W (Tc) 79W (Tc) 75W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 1V @ 250µA 2.35V @ 50µA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak PG-TO252-3 D-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 55 V 30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 58A (Tc) 58A (Tc) 20A (Tc) 86A (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V 1350 pF @ 15 V 660 pF @ 50 V 2150 pF @ 15 V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Número do produto base IRLR8729 IRLR8729 IRLR9343 IRLR8726
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica FET - - - -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.9mOhm @ 25A, 10V 8.9mOhm @ 25A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V

IRLR8729TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRLR8729TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRLR8729TRPBF - Infineon Technologies.

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
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Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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