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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRLSL4030PBF
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRLSL4030PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRLSL4030PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRLSL4030PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Descrição detalhada
Embalagem
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ficha de dados
IRLSL4030PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 15816

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRLSL4030PBF
Infineon Technologies - IRLSL4030PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRLSL4030PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-262  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.3mOhm @ 110A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 370W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11360 pF @ 50 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Número do produto base IRLSL4030  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRLSL4030PBF

Atributo do Produto IRLSL4030PBF IRLTS6342TRPBF IRLSL3034PBF IRLU014
Modelo do Produto IRLSL4030PBF IRLTS6342TRPBF IRLSL3034PBF IRLU014
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4V, 5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 30 V 40 V 60 V
Número do produto base IRLSL4030 IRLTS6342 - IRLU014
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.3mOhm @ 110A, 10V 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V 1.7mOhm @ 195A, 10V 200mOhm @ 4.6A, 5V
Pacote Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11360 pF @ 50 V 1010 pF @ 25 V 10315 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-262 6-TSOP TO-262 TO-251AA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 162 nC @ 4.5 V 8.4 nC @ 5 V
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1.1V @ 10µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±12V ±20V ±10V
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA SOT-23-6 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Característica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 8.3A (Ta) 195A (Tc) 7.7A (Tc)
Dissipação de energia (Max) 370W (Tc) 2W (Ta) 375W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)

IRLSL4030PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRLSL4030PBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRLSL4030PBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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