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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - Bipolar (BJT) - Matrizes, pré -tendenciosasEMD53T2R
EMD53T2R Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

EMD53T2R - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
EMD53T2R
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-EMD53T2R
Modelo ECAD
Descrição das peças
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Descrição detalhada
Embalagem
SOT-563, SOT-666
Ficha de dados
EMD53T2R.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 386900

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas EMD53T2R
Rohm Semiconductor - EMD53T2R Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - EMD53T2R

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V  
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA  
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Embalagem do dispositivo fornecedor EMT6  
Série -  
Resistor - Base do Emissor (R2) 10kOhms  
Resistor - Base (R1) 10kOhms  
Power - Max 150mW  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Frequência - Transição 250MHz  
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V  
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA  
Número do produto base EMD53  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor EMD53T2R

Atributo do Produto EMD53T2R EMD5T2R EMD4DXV6T1G EMD59T2R
Modelo do Produto EMD53T2R EMD5T2R EMD4DXV6T1G EMD59T2R
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 150mV @ 500µA, 5mA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Embalagem do dispositivo fornecedor EMT6 EMT6 SOT-563 EMT6
Power - Max 150mW 150mW 500mW 150mW
Série - - - -
Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base do Emissor (R2) 10kOhms 47kOhms, 10kOhms 47kOhms 47kOhms
Frequência - Transição 250MHz 250MHz - 250MHz
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Número do produto base EMD53 EMD5T2 EMD4DXV6 EMD59
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V 50V 50V 50V
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1) 10kOhms 47kOhms, 4.7kOhms 47kOhms, 10kOhms 10kOhms
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA 100mA 100mA 100mA

EMD53T2R PDF da folha de dados

Faça o download do EMD53T2R PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para EMD53T2R - Rohm Semiconductor.

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

  1. Remessa comum global da DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF Apoiamos.
  2. Outros mais formas de remessa, entre em contato com seu gerente de clientes.

Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
Entre em contato conosco se tiver alguma dúvida.

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