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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleR6035ENZ1C9
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

R6035ENZ1C9 - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
R6035ENZ1C9
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-R6035ENZ1C9
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Descrição detalhada
Embalagem
TO-247-3
Ficha de dados
R6035ENZ1C9.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4840

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas R6035ENZ1C9
Rohm Semiconductor - R6035ENZ1C9 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - R6035ENZ1C9

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 102mOhm @ 18.1A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 120W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-247-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor R6035ENZ1C9

Atributo do Produto R6035ENZ1C9 R6035KNZ1C9 R6076ENZ1C9 R6047ENZ1C9
Modelo do Produto R6035ENZ1C9 R6035KNZ1C9 R6076ENZ1C9 R6047ENZ1C9
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Dissipação de energia (Max) 120W (Tc) 379W (Tc) 120W (Tc) 120W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacote Tube Tube Tube Tube
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 5V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 102mOhm @ 18.1A, 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 42mOhm @ 44.4A, 10V 72mOhm @ 25.8A, 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 6500 pF @ 25 V 3850 pF @ 25 V
Caixa / Gabinete TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Temperatura de operação 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Característica FET - - - -
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 35A (Tc) 76A (Tc) 47A (Tc)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247 TO-247 TO-247 TO-247
Série - - - -

R6035ENZ1C9 PDF da folha de dados

Faça o download do R6035ENZ1C9 PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para R6035ENZ1C9 - Rohm Semiconductor.

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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