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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRAF040P01TCL
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RAF040P01TCL - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RAF040P01TCL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RAF040P01TCL
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
Descrição detalhada
Embalagem
3-SMD, Flat Leads
Ficha de dados
RAF040P01TCL.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 133020

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RAF040P01TCL
Rohm Semiconductor - RAF040P01TCL Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RAF040P01TCL

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TUMT3  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 30mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 800mW (Ta)  
Caixa / Gabinete 3-SMD, Flat Leads  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 6 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 12 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)  
Número do produto base RAF040  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RAF040P01TCL

Atributo do Produto RAF040P01TCL IRLR3715TRL SI5435BDC-T1-E3 FQP6N40C
Modelo do Produto RAF040P01TCL IRLR3715TRL SI5435BDC-T1-E3 FQP6N40C
Fabricante Rohm Semiconductor Infineon Technologies Vishay Siliconix onsemi
RDS ON (Max) @ Id, VGS 30mOhm @ 4A, 4.5V 14mOhm @ 26A, 10V 45mOhm @ 4.3A, 10V 1Ohm @ 3A, 10V
Série - HEXFET® TrenchFET® QFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) 54A (Tc) 4.3A (Ta) 6A (Tc)
Vgs (Max) -8V ±20V ±20V ±30V
Embalagem do dispositivo fornecedor TUMT3 D-Pak 1206-8 ChipFET™ TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 24 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Número do produto base RAF040 - SI5435 FQP6
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipação de energia (Max) 800mW (Ta) 3.8W (Ta), 71W (Tc) 1.3W (Ta) 73W (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 6 V 1060 pF @ 10 V - 625 pF @ 25 V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Caixa / Gabinete 3-SMD, Flat Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SMD, Flat Lead TO-220-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 12 V 20 V 30 V 400 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Temperatura de operação 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Característica FET - - - -

RAF040P01TCL PDF da folha de dados

Faça o download do RAF040P01TCL PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RAF040P01TCL - Rohm Semiconductor.

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Custo de entrega

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  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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