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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRAL045P01TCR
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RAL045P01TCR - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RAL045P01TCR
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RAL045P01TCR
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
Descrição detalhada
Embalagem
6-SMD, Flat Leads
Ficha de dados
RAL045P01TCR.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 105060

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RAL045P01TCR
Rohm Semiconductor - RAL045P01TCR Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RAL045P01TCR

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TUMT6  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 30mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 1W (Ta)  
Caixa / Gabinete 6-SMD, Flat Leads  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 6 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 12 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta)  
Número do produto base RAL045  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RAL045P01TCR

Atributo do Produto RAL045P01TCR IRLI540NPBF FDP032N08B UPA1816GR-9JG-E1-A
Modelo do Produto RAL045P01TCR IRLI540NPBF FDP032N08B UPA1816GR-9JG-E1-A
Fabricante Rohm Semiconductor International Rectifier Fairchild Semiconductor Renesas Electronics America Inc
Caixa / Gabinete 6-SMD, Flat Leads TO-220-3 Full Pack - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V 4V, 10V - -
Temperatura de operação 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V 74 nC @ 5 V - 15 nC @ 4 V
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole - Surface Mount
Característica FET - - - -
Série - HEXFET® * -
Dissipação de energia (Max) 1W (Ta) 54W (Tc) - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 2V @ 250µA - 1.5V @ 1mA
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 12 V 100 V - 12 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta) 23A (Tc) - 9A (Ta)
Número do produto base RAL045 - - -
Vgs (Max) -8V ±16V - -
Tipo FET P-Channel N-Channel - P-Channel
RDS ON (Max) @ Id, VGS 30mOhm @ 4.5A, 4.5V 44mOhm @ 12A, 10V - 15mOhm @ 4.5A, 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 6 V 1800 pF @ 25 V - 1570 pF @ 10 V
Embalagem do dispositivo fornecedor TUMT6 TO-220AB Full-Pak - 8-TSSOP

RAL045P01TCR PDF da folha de dados

Faça o download do RAL045P01TCR PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RAL045P01TCR - Rohm Semiconductor.

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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