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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRD3P130SPTL1
RD3P130SPTL1 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RD3P130SPTL1 - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RD3P130SPTL1
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RD3P130SPTL1
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
RD3P130SPTL1.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 47140

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RD3P130SPTL1
Rohm Semiconductor - RD3P130SPTL1 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RD3P130SPTL1

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-252  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 200mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 20W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)  
Número do produto base RD3P130  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RD3P130SPTL1

Atributo do Produto RD3P130SPTL1 RD3G600GNTL RD3L080SNFRATL RD3L08BGNTL
Modelo do Produto RD3P130SPTL1 RD3G600GNTL RD3L080SNFRATL RD3L08BGNTL
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 40 V 60 V 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 100µA
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Característica FET - - - -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 46.5 nC @ 10 V 9.4 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Ta) 60A (Ta) 8A (Ta) 80A (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V 3400 pF @ 20 V 380 pF @ 10 V 3620 pF @ 30 V
Dissipação de energia (Max) 20W (Tc) 40W (Ta) 15W (Tc) 119W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Série - - Automotive, AEC-Q101 -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-252 TO-252 TO-252 TO-252
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 200mOhm @ 6.5A, 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V 80mOhm @ 8A, 10V 5.5mOhm @ 80A, 10V
Número do produto base RD3P130 RD3G600 RD3L080 RD3L08
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RD3P130SPTL1 PDF da folha de dados

Faça o download do RD3P130SPTL1 PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RD3P130SPTL1 - Rohm Semiconductor.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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