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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRHP030N03T100
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RHP030N03T100 - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RHP030N03T100
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RHP030N03T100
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 3A MPT3
Descrição detalhada
Embalagem
TO-243AA
Ficha de dados
MPT3 T100 Taping Spec.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 84630

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RHP030N03T100
Rohm Semiconductor - RHP030N03T100 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RHP030N03T100

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor MPT3  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 120mOhm @ 3A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 500mW (Ta)  
Caixa / Gabinete TO-243AA  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)  
Número do produto base RHP030  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RHP030N03T100

Atributo do Produto RHP030N03T100 FDP7030L STP16NF06L SIHG039N60EF-GE3
Modelo do Produto RHP030N03T100 FDP7030L STP16NF06L SIHG039N60EF-GE3
Fabricante Rohm Semiconductor onsemi STMicroelectronics Vishay Siliconix
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem do dispositivo fornecedor MPT3 TO-220-3 TO-220 TO-247AC
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 10 V 2440 pF @ 15 V 345 pF @ 25 V 4323 pF @ 100 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V 33 nC @ 5 V 10 nC @ 5 V 126 nC @ 10 V
Série - PowerTrench® STripFET™ II EF
Característica FET - - - -
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Caixa / Gabinete TO-243AA TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±30V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 120mOhm @ 3A, 10V 7mOhm @ 40A, 10V 90mOhm @ 8A, 10V 40mOhm @ 32A, 10V
Número do produto base RHP030 FDP70 STP16 SIHG039
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) 80A (Ta) 16A (Tc) 61A (Tc)
Dissipação de energia (Max) 500mW (Ta) 68W (Tc) 45W (Tc) 357W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V 4.5V, 10V 10V, 5V 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 60 V 600 V

RHP030N03T100 PDF da folha de dados

Faça o download do RHP030N03T100 PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RHP030N03T100 - Rohm Semiconductor.

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Região País Hora logística (dia)
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Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
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Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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