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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRQ1C065UNTR
RQ1C065UNTR Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RQ1C065UNTR - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RQ1C065UNTR
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RQ1C065UNTR
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Descrição detalhada
Embalagem
8-SMD, Flat Lead
Ficha de dados
RQ1C065UNTR.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 111620

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RQ1C065UNTR
Rohm Semiconductor - RQ1C065UNTR Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RQ1C065UNTR

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TSMT8  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 22mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 700mW (Ta)  
Caixa / Gabinete 8-SMD, Flat Lead  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)  
Número do produto base RQ1C065  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RQ1C065UNTR

Atributo do Produto RQ1C065UNTR RQ1A070APTR RQ1E050RPTR RQ1A070ZPTR
Modelo do Produto RQ1C065UNTR RQ1A070APTR RQ1E050RPTR RQ1A070ZPTR
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Caixa / Gabinete 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 4V, 10V 1.5V, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 700mW (Ta) 550mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V 12 V 30 V 12 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 80 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V 58 nC @ 4.5 V
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica FET - - - -
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±10V -8V ±20V ±10V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Embalagem do dispositivo fornecedor TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V 7800 pF @ 6 V 1300 pF @ 10 V 7400 pF @ 6 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 14mOhm @ 7A, 4.5V 31mOhm @ 5A, 10V 12mOhm @ 7A, 4.5V
Número do produto base RQ1C065 RQ1A070 RQ1E050 RQ1A070
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) 7A (Ta) 5A (Ta) 7A (Ta)
Temperatura de operação 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Série - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RQ1C065UNTR PDF da folha de dados

Faça o download do RQ1C065UNTR PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RQ1C065UNTR - Rohm Semiconductor.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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