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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRQ3E100BNTB
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RQ3E100BNTB - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RQ3E100BNTB
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RQ3E100BNTB
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Descrição detalhada
Embalagem
8-PowerVDFN
Ficha de dados
RQ3E100BNTB.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 269510

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RQ3E100BNTB
Rohm Semiconductor - RQ3E100BNTB Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RQ3E100BNTB

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-HSMT (3.2x3)  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 10.4mOhm @ 10A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2W (Ta)  
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)  
Número do produto base RQ3E100  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB

Atributo do Produto RQ3E100BNTB RQ3E080BNTB RQ3E070BNTB RQ3E120ATTB
Modelo do Produto RQ3E100BNTB RQ3E080BNTB RQ3E070BNTB RQ3E120ATTB
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Dissipação de energia (Max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Número do produto base RQ3E100 RQ3E080 RQ3E070 RQ3E120
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 15 V 660 pF @ 15 V 410 pF @ 15 V 3200 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Série - - - -
Temperatura de operação 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) 8A (Ta) 7A (Ta) 12A (Ta)
Característica FET - - - -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 10.4mOhm @ 10A, 10V 15.2mOhm @ 8A, 10V 27mOhm @ 7A, 10V 8mOhm @ 12A, 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V 8.9 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V

RQ3E100BNTB PDF da folha de dados

Faça o download do RQ3E100BNTB PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RQ3E100BNTB - Rohm Semiconductor.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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