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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRRL025P03TR
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RRL025P03TR - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RRL025P03TR
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RRL025P03TR
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Descrição detalhada
Embalagem
6-SMD, Flat Leads
Ficha de dados
RRL025P03.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 94570

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RRL025P03TR
Rohm Semiconductor - RRL025P03TR Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RRL025P03TR

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TUMT6  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 75mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 320mW (Ta)  
Caixa / Gabinete 6-SMD, Flat Leads  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)  
Número do produto base RRL025  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RRL025P03TR

Atributo do Produto RRL025P03TR SI4409DY-T1-GE3 IPD30N06S2-15 RTQ020N05TR
Modelo do Produto RRL025P03TR SI4409DY-T1-GE3 IPD30N06S2-15 RTQ020N05TR
Fabricante Rohm Semiconductor Vishay Siliconix Infineon Technologies Rohm Semiconductor
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V 332 pF @ 50 V 1485 pF @ 25 V 150 pF @ 10 V
Número do produto base RRL025 SI4409 IPD30N RTQ020
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V 6V, 10V 10V 2.5V, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 75mOhm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 500mA, 10V 14.7mOhm @ 30A, 10V 190mOhm @ 2A, 4.5V
Caixa / Gabinete 6-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Característica FET - - - -
Dissipação de energia (Max) 320mW (Ta) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) 136W (Tc) 600mW (Ta)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta) 1.3A (Tc) 30A (Tc) 2A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 150 V 55 V 45 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V 12 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 2.3 nC @ 4.5 V
Série - TrenchFET® OptiMOS™ -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 80µA 1.5V @ 1mA
Temperatura de operação 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Embalagem do dispositivo fornecedor TUMT6 8-SOIC PG-TO252-3-11 TSMT6 (SC-95)

RRL025P03TR PDF da folha de dados

Faça o download do RRL025P03TR PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RRL025P03TR - Rohm Semiconductor.

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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