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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRS1E150GNTB
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RS1E150GNTB - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RS1E150GNTB
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RS1E150GNTB
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Descrição detalhada
Embalagem
8-PowerTDFN
Ficha de dados
RS1E150GNTB.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 154130

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RS1E150GNTB
Rohm Semiconductor - RS1E150GNTB Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RS1E150GNTB

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-HSOP  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.8mOhm @ 15A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3W (Ta), 22.9W (Tc)  
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 15A (Ta)  
Número do produto base RS1E  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RS1E150GNTB

Atributo do Produto RS1E150GNTB RS1E200BNTB RS1E130GNTB RS1E180
Modelo do Produto RS1E150GNTB RS1E200BNTB RS1E130GNTB RS1E180
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Série - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Dissipação de energia (Max) 3W (Ta), 22.9W (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) 3W (Ta), 22.2W (Tc) -
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 15 V 3100 pF @ 15 V 420 pF @ 15 V -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 15A (Ta) 20A (Ta) 13A (Ta) -
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP -
Número do produto base RS1E RS1E RS1E -
Característica FET - - - -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 30 V -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 7.9 nC @ 10 V -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.8mOhm @ 15A, 10V 3.9mOhm @ 20A, 10V 11.7mOhm @ 13A, 10V -
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN -
Temperatura de operação 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

RS1E150GNTB PDF da folha de dados

Faça o download do RS1E150GNTB PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RS1E150GNTB - Rohm Semiconductor.

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
Entre em contato conosco se tiver alguma dúvida.

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