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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRSJ250P10FRATL
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RSJ250P10FRATL - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RSJ250P10FRATL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RSJ250P10FRATL
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de dados
RSJ250P10FRATL.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 41796

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RSJ250P10FRATL
Rohm Semiconductor - RSJ250P10FRATL Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RSJ250P10FRATL

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor LPTS  
Série Automotive, AEC-Q101  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 63mOhm @ 25A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 50W (Ta)  
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 25A (Ta)  
Número do produto base RSJ250  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RSJ250P10FRATL

Atributo do Produto RSJ250P10FRATL C3M0075120D STD60NF06T4 FCPF380N60E
Modelo do Produto RSJ250P10FRATL C3M0075120D STD60NF06T4 FCPF380N60E
Fabricante Rohm Semiconductor Wolfspeed, Inc. STMicroelectronics Fairchild Semiconductor
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 4V @ 5mA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Temperatura de operação 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V 15V 10V 10V
Série Automotive, AEC-Q101 C3M™ STripFET™ II SuperFET® II
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 25A (Ta) 30A (Tc) 60A (Tc) 10.2A (Tc)
Vgs (Max) ±20V +19V, -8V ±20V ±20V
Número do produto base RSJ250 C3M0075120 STD60 FCPF380
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 25 V 1350 pF @ 1000 V 1810 pF @ 25 V 1770 pF @ 25 V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 1200 V 60 V 600 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Embalagem do dispositivo fornecedor LPTS TO-247-3 DPAK TO-220F
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET - - - -
Dissipação de energia (Max) 50W (Ta) 113.6W (Tc) 110W (Tc) 31W (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V 54 nC @ 15 V 66 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 63mOhm @ 25A, 10V 90mOhm @ 20A, 15V 16mOhm @ 30A, 10V 380mOhm @ 5A, 10V

RSJ250P10FRATL PDF da folha de dados

Faça o download do RSJ250P10FRATL PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RSJ250P10FRATL - Rohm Semiconductor.

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Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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