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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRUC002N05T116
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RUC002N05T116 - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RUC002N05T116
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RUC002N05T116
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Descrição detalhada
Embalagem
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de dados
RUC002N05T116.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 576100

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RUC002N05T116
Rohm Semiconductor - RUC002N05T116 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RUC002N05T116

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor SST3  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 200mW (Ta)  
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.2V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 50 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Número do produto base RUC002  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RUC002N05T116

Atributo do Produto RUC002N05T116 HUF76629D3S DN2530N3-G FQD9N25TM
Modelo do Produto RUC002N05T116 HUF76629D3S DN2530N3-G FQD9N25TM
Fabricante Rohm Semiconductor onsemi Microchip Technology Fairchild Semiconductor
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET - - Depletion Mode -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V 1285 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 52mOhm @ 20A, 10V 12Ohm @ 150mA, 0V 420mOhm @ 3.7A, 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 20A (Tc) 175mA (Tj) 7.4A (Tc)
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Bag Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 3V @ 250µA - 5V @ 250µA
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 50 V 100 V 300 V 250 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.2V, 4.5V 4.5V, 10V 0V 10V
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipação de energia (Max) 200mW (Ta) 110W (Tc) 740mW (Ta) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±8V ±16V ±20V ±30V
Número do produto base RUC002 HUF76 DN2530 -
Série - UltraFET™ - QFET®
Embalagem do dispositivo fornecedor SST3 TO-252AA TO-92 (TO-226) TO-252, (D-Pak)
Temperatura de operação 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

RUC002N05T116 PDF da folha de dados

Faça o download do RUC002N05T116 PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RUC002N05T116 - Rohm Semiconductor.

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Tipo de transporte

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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