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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRUM002N02T2L
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RUM002N02T2L - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RUM002N02T2L
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RUM002N02T2L
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Descrição detalhada
Embalagem
SOT-723
Ficha de dados
RUM002N02T2L.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 526300

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RUM002N02T2L
Rohm Semiconductor - RUM002N02T2L Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RUM002N02T2L

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor VMT3  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V  
Dissipação de energia (Max) 150mW (Ta)  
Caixa / Gabinete SOT-723  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.2V, 2.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Número do produto base RUM002  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RUM002N02T2L

Atributo do Produto RUM002N02T2L RUM001L02T2CL RUM002N05T2L RUM001L02T2CL MOS
Modelo do Produto RUM002N02T2L RUM001L02T2CL RUM002N05T2L RUM001L02T2CL MOS
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Temperatura de operação 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Embalagem do dispositivo fornecedor VMT3 VMT3 VMT3 -
Caixa / Gabinete SOT-723 SOT-723 SOT-723 -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.2V, 2.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V 20 V 50 V -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V 7.1 pF @ 10 V 25 pF @ 10 V -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 100mA (Ta) 200mA (Ta) -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V -
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V -
Série - - - -
Característica FET - - - -
Número do produto base RUM002 RUM001 RUM002 -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 100µA 1V @ 1mA -
Dissipação de energia (Max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) -

RUM002N02T2L PDF da folha de dados

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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