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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRVQ040N05TR
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RVQ040N05TR - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RVQ040N05TR
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RVQ040N05TR
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
Descrição detalhada
Embalagem
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ficha de dados
RVQ040N05TR.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 87650

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RVQ040N05TR
Rohm Semiconductor - RVQ040N05TR Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RVQ040N05TR

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) 21V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TSMT6 (SC-95)  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 53mOhm @ 4A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 600mW (Ta)  
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 45 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)  
Número do produto base RVQ040  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RVQ040N05TR

Atributo do Produto RVQ040N05TR FQP6N60C SI4425DDY-T1-GE3 FQA19N20C
Modelo do Produto RVQ040N05TR FQP6N60C SI4425DDY-T1-GE3 FQA19N20C
Fabricante Rohm Semiconductor onsemi Vishay Siliconix onsemi
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 45 V 600 V 30 V 200 V
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número do produto base RVQ040 FQP6 SI4425 FQA1
Embalagem do dispositivo fornecedor TSMT6 (SC-95) TO-220-3 8-SOIC TO-3P
Vgs (Max) 21V ±30V ±20V ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 10 V 810 pF @ 25 V 2610 pF @ 15 V 1080 pF @ 25 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 53mOhm @ 4A, 10V 2Ohm @ 2.75A, 10V 9.8mOhm @ 13A, 10V 170mOhm @ 10.9A, 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) 5.5A (Tc) 19.7A (Tc) 21.8A (Tc)
Característica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Série - QFET® TrenchFET® QFET®
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-3P-3, SC-65-3
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Temperatura de operação 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Dissipação de energia (Max) 600mW (Ta) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 180W (Tc)

RVQ040N05TR PDF da folha de dados

Faça o download do RVQ040N05TR PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RVQ040N05TR - Rohm Semiconductor.

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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