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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRYC002N05T316
RYC002N05T316 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RYC002N05T316 - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RYC002N05T316
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RYC002N05T316
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Descrição detalhada
Embalagem
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de dados
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 445200

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RYC002N05T316
Rohm Semiconductor - RYC002N05T316 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RYC002N05T316

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor SST3  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 350mW (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 50 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Número do produto base RYC002  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RYC002N05T316

Atributo do Produto RYC002N05T316 RD3G600GNTL RYC8635-1M RYC8240-2WM
Modelo do Produto RYC002N05T316 RD3G600GNTL RYC8635-1M RYC8240-2WM
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Raychem Cable Protection/TE Connectivity Littelfuse Inc.
Série - - - PolySwitch®
Vgs (Max) ±8V ±20V - -
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -40°C ~ 85°C (TA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 60A (Ta) - -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Dissipação de energia (Max) 350mW (Tc) 40W (Ta) - -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 50 V 40 V - -
Característica FET - - - -
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V 4.5V, 10V - -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 3.6mOhm @ 60A, 10V - -
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA 2.5V @ 1mA - -
Número do produto base RYC002 RD3G600 - RYC8240
Embalagem do dispositivo fornecedor SST3 TO-252 - -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V 3400 pF @ 20 V - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RYC002N05T316 PDF da folha de dados

Faça o download do RYC002N05T316 PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RYC002N05T316 - Rohm Semiconductor.

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Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf
Folhas de dados
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Tipo de transporte

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
Entre em contato conosco se tiver alguma dúvida.

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