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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRZM001P02T2L
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RZM001P02T2L - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RZM001P02T2L
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RZM001P02T2L
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Descrição detalhada
Embalagem
SOT-723
Ficha de dados
RZM001P02T2L.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 818550

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RZM001P02T2L
Rohm Semiconductor - RZM001P02T2L Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RZM001P02T2L

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor VMT3  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 150mW (Ta)  
Caixa / Gabinete SOT-723  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.2V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)  
Número do produto base RZM001  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RZM001P02T2L

Atributo do Produto RZM001P02T2L SPB42N03S2L-13 FQA16N50 AUIRFP4568-E
Modelo do Produto RZM001P02T2L SPB42N03S2L-13 FQA16N50 AUIRFP4568-E
Fabricante Rohm Semiconductor Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies
Vgs (Max) ±10V ±20V ±30V ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V 1130 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 10470 pF @ 50 V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V 30 V 500 V 150 V
Série - OptiMOS™ QFET® HEXFET®
Característica FET - - - -
Dissipação de energia (Max) 150mW (Ta) 83W (Tc) 200W (Tc) 517W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Número do produto base RZM001 SPB42N FQA1 AUIRFP4568
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 12.6mOhm @ 21A, 10V 320mOhm @ 8A, 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 2V @ 37µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta) 42A (Tc) 16A (Tc) 171A (Tc)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.2V, 4.5V 4.5V, 10V 10V 10V
Caixa / Gabinete SOT-723 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Embalagem do dispositivo fornecedor VMT3 PG-TO263-3-2 TO-3P TO-247AD
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube

RZM001P02T2L PDF da folha de dados

Faça o download do RZM001P02T2L PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RZM001P02T2L - Rohm Semiconductor.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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