Especificações técnicas 1N5230B
SMC Diode Solutions - 1N5230B Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao SMC Diode Solutions - 1N5230B
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| Tensão - Zener (Nom) (VZ) | 4.7 V | |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.1 V @ 200 mA | |
| Tolerância | ±5% | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | DO-35 | |
| Série | - | |
| Power - Max | 500 mW |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Caixa / Gabinete | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| Pacote | Tape & Box (TB) | |
| Temperatura de operação | 200°C | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Impedância (Max) (ZZT) | 19 Ohms | |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 5 µA @ 1.9 V |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao SMC Diode Solutions 1N5230B
| Atributo do Produto |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | 1N5230B | 1N5230BTR | 1N5231B | 1N5230 |
| Fabricante | SMC Diode Solutions | Fairchild Semiconductor | SMC Diode Solutions | Microchip Technology |
| Pacote | Tape & Box (TB) | Bulk | Tape & Box (TB) | Bulk |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) |
| Tensão - Zener (Nom) (VZ) | 4.7 V | 4.7 V | 5.1 V | 4.7 V |
| Temperatura de operação | 200°C | -65°C ~ 200°C | 200°C | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 5 µA @ 1.9 V | 2 µA @ 1 V | 5 µA @ 1.9 V | 50 µA @ 1.9 V |
| Power - Max | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.1 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA |
| Série | - | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Tolerância | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
| Tipo de montagem | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Impedância (Max) (ZZT) | 19 Ohms | 19 Ohms | 17 Ohms | 19 Ohms |
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1N5230BTRFairchild SemiconductorDIODE ZENER 4.7V 500MW DO351N5231BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 5.1V 500MW DO351N5230Microchip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N5231BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5231BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 5.1V 500MW
1N5229B-TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 4.3V 500MW DO351N5229BTRFairchild SemiconductorZENER DIODE, 4.3V, 5%, 0.5W, UNI
1N5229B-TDiodes IncorporatedDIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
1N5230BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z
1N5230BTRonsemiDIODE ZENER 4.7V 500MW DO351N5230SMC Diode SolutionsDIODE ZENER 4.7V 500MW DO351N5230B-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
1N5230CAMI Semiconductor/onsemi1N5230BFairchild SemiconductorZENER DIODE, 4.7V, 5%, 0.5W, UNI1N5230BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 4.7V 500MW1N5230BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5229BTRonsemiDIODE ZENER 4.3V 500MW DO351N5230BonsemiDIODE ZENER 4.7V 500MW DO35| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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