Especificações técnicas RS1BL RVG
TSC (Taiwan Semiconductor) - RS1BL RVG Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao TSC (Taiwan Semiconductor) - RS1BL RVG
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Taiwan Semiconductor | |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.3V @ 800mA | |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 100V | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Sub SMA | |
| Velocidade | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| Série | - | |
| Inversa de tempo de recuperação (trr) | 150ns | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Caixa / Gabinete | DO-219AB | |
| Outros nomes | RS1BL RVGTR RS1BL RVGTR-ND RS1BLRVGTR |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de Operação - Junção | -55°C ~ 150°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 25 Weeks | |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
| Tipo Diode | Standard | |
| Descrição detalhada | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA | |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 5µA @ 100V | |
| Atual - rectificada média (Io) | 800mA | |
| Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao TSC (Taiwan Semiconductor) RS1BL RVG
| Atributo do Produto |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | RS1BL RVG | RS1D-E3/5AT | RS1B-13-F | RS1A-E3/61T |
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 5µA @ 100V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 50 V |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 100V | 200 V | 100 V | 50 V |
| Tipo Diode | Standard | - | - | - |
| Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Sub SMA | DO-214AC (SMA) | SMA | DO-214AC (SMA) |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.3V @ 800mA | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| Outros nomes | RS1BL RVGTR RS1BL RVGTR-ND RS1BLRVGTR |
- | - | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr) | 150ns | 150 ns | 150 ns | 150 ns |
| Temperatura de Operação - Junção | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| Velocidade | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 25 Weeks | - | - | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Atual - rectificada média (Io) | 800mA | 1A | 1A | 1A |
| Descrição detalhada | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | DO-219AB | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
Faça o download do RS1BL RVG PDF Datahets e TSC (Taiwan Semiconductor) Documentation para RS1BL RVG - TSC (Taiwan Semiconductor).
RS1A48D25Carlo Gavazzi Inc.SSR RELAY SPST-NO 25A 42-530V
RS1D R2Taiwan SemiconductorRS1D-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
RS1B-E3Electro-Films (EFI) / VishayRS1B-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMARS1A-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214ACRS1D-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
RS16W20180-SRS1D-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMARS1DB-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMB
RS1B-FDiodes IncorporatedRS1A-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A SMARS1DB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMBRS1BB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMBRS1B-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACRS1D-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACRS1D/11TElectro-Films (EFI) / VishayRS1D R2GTaiwan Semiconductor| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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