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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleTPN4R712MD,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

TPN4R712MD,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricante Modelo do Produto
TPN4R712MD,L1Q
Fabricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modelo do Produto
32D-TPN4R712MD,L1Q
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Descrição detalhada
Embalagem
8-PowerVDFN
Ficha de dados
TPN4R712MD,L1Q.pdf
Estado de RoHS
Em conformidade com a RoHS
Disponível: 106950

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas TPN4R712MD,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R712MD,L1Q Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R712MD,L1Q

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-TSON Advance (3.1x3.1)  
Série U-MOSVI  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.7mOhm @ 18A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 42W (Tc)  
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)  
Número do produto base TPN4R712  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q

Atributo do Produto TPN4R712MD,L1Q TPN5R203PL,LQ TPN4R203NC,L1Q TPN4R303NL,L1Q
Modelo do Produto TPN4R712MD,L1Q TPN5R203PL,LQ TPN4R203NC,L1Q TPN4R303NL,L1Q
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.7mOhm @ 18A, 4.5V 5.2mOhm @ 19A, 10V 4.2mOhm @ 11.5A, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 36A (Tc) 38A (Tc) 23A (Ta) 40A (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ) 175°C 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA 2.1V @ 200µA 2.3V @ 200µA 2.3V @ 200µA
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 10 V 1975 pF @ 15 V 1370 pF @ 15 V 1400 pF @ 15 V
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Número do produto base TPN4R712 TPN5R203 TPN4R203 TPN4R303
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 5 V 22 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 14.8 nC @ 10 V
Característica FET - - - -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V 30 V 30 V 30 V
Série U-MOSVI U-MOSIX-H U-MOSVIII U-MOSVIII-H
Dissipação de energia (Max) 42W (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) 700mW (Ta), 22W (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc)
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

Tipo de transporte

Prazo de entrega

Os itens em estoque podem ser enviados dentro de 24 horas.Algumas peças serão organizadas para entrega dentro de 1-2 dias a partir da data, todos os itens chegam ao nosso armazém.E os navios Allelco pedem uma vez por dia por volta das 17:00, exceto domingo.Depois que as mercadorias são enviadas, o tempo estimado de entrega depende dos métodos de envio e do destino da entrega.A tabela abaixo mostra que é o tempo logístico para alguns países comuns.

Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

  1. Remessa comum global da DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF Apoiamos.
  2. Outros mais formas de remessa, entre em contato com seu gerente de clientes.

Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
Entre em contato conosco se tiver alguma dúvida.

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O método de pagamento pode ser escolhido entre os seguintes métodos: Transferência Bancária (T/T, Transferência Bancária), União Oeste, Cartão de Crédito, PayPal.

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