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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleSI4778DY-T1-E3
SI4778DY-T1-E3 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

SI4778DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricante Modelo do Produto
SI4778DY-T1-E3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modelo do Produto
32D-SI4778DY-T1-E3
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
Descrição detalhada
Embalagem
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de dados
SI4778DY.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4360

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas SI4778DY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4778DY-T1-E3 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Vishay Siliconix - SI4778DY-T1-E3

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SOIC  
Série TrenchFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 23mOhm @ 7A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2.4W (Ta), 5W (Tc)  
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 13 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 25 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  
Número do produto base SI4778  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Vishay Siliconix SI4778DY-T1-E3

Atributo do Produto SI4778DY-T1-E3 SI4778DY-T1-GE3 SI4776DY-T1-GE3 SI4774DY-T1-GE3
Modelo do Produto SI4778DY-T1-E3 SI4778DY-T1-GE3 SI4776DY-T1-GE3 SI4774DY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.3V @ 1mA 2.3V @ 1mA
Série TrenchFET® TrenchFET® SkyFET®, TrenchFET® SkyFET®, TrenchFET®
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 23mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 16mOhm @ 10A, 10V 9.5mOhm @ 10A, 10V
Característica FET - - - Schottky Diode (Body)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 13 V 680 pF @ 13 V 521 pF @ 15 V 1025 pF @ 15 V
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 25 V 25 V 30 V 30 V
Dissipação de energia (Max) 2.4W (Ta), 5W (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) 4.1W (Tc) 5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TA) -55°C ~ 150°C (TA)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Número do produto base SI4778 SI4778 SI4776 SI4774
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 8A (Tc) 11.9A (Tc) 16A (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 17.5 nC @ 10 V 14.3 nC @ 4.5 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

SI4778DY-T1-E3 PDF da folha de dados

Faça o download do SI4778DY-T1-E3 PDF Datahets e Vishay Siliconix Documentation para SI4778DY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Obsolescência PCN/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Folhas de dados
SI4778DY.pdf

Tipo de transporte

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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