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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleSIRA20DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

SIRA20DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Modelo do Produto
SIRA20DP-T1-RE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modelo do Produto
32D-SIRA20DP-T1-RE3
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Descrição detalhada
Embalagem
PowerPAK® SO-8
Ficha de dados
SIRA20DP.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 66820

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas SIRA20DP-T1-RE3
Vishay Siliconix - SIRA20DP-T1-RE3 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Vishay Siliconix - SIRA20DP-T1-RE3

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) +16V, -12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PowerPAK® SO-8  
Série TrenchFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 0.58mOhm @ 20A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)  
Caixa / Gabinete PowerPAK® SO-8  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10850 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 25 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 81.7A (Ta), 100A (Tc)  
Número do produto base SIRA20  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Vishay Siliconix SIRA20DP-T1-RE3

Atributo do Produto SIRA20DP-T1-RE3 SIRA34DP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3
Modelo do Produto SIRA20DP-T1-RE3 SIRA34DP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Série TrenchFET® TrenchFET® - TrenchFET® Gen IV
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Característica FET - - - -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 0.58mOhm @ 20A, 10V 6.7mOhm @ 10A, 10V 8.7mOhm @ 10A, 10V 6.83mOhm @ 10A, 10V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipação de energia (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 3.3W (Ta), 31.25W (Tc) 14.7W (Tc) 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Número do produto base SIRA20 SIRA34 SIRA18 SIRA18
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 81.7A (Ta), 100A (Tc) 40A (Tc) 30.6A (Tc) 19A (Ta), 40A (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 21.5 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +16V, -12V +20V, -16V +20V, -16V +20V, -16V
Embalagem do dispositivo fornecedor PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caixa / Gabinete PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10850 pF @ 10 V 1100 pF @ 15 V 1000 pF @ 15 V 680 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 25 V 30 V 30 V 30 V

SIRA20DP-T1-RE3 PDF da folha de dados

Faça o download do SIRA20DP-T1-RE3 PDF Datahets e Vishay Siliconix Documentation para SIRA20DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix.

Design/especificação PCN
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
Montagem/origem PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Folhas de dados
SIRA20DP.pdf

Tipo de transporte

Prazo de entrega

Os itens em estoque podem ser enviados dentro de 24 horas.Algumas peças serão organizadas para entrega dentro de 1-2 dias a partir da data, todos os itens chegam ao nosso armazém.E os navios Allelco pedem uma vez por dia por volta das 17:00, exceto domingo.Depois que as mercadorias são enviadas, o tempo estimado de entrega depende dos métodos de envio e do destino da entrega.A tabela abaixo mostra que é o tempo logístico para alguns países comuns.

Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

  1. Remessa comum global da DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF Apoiamos.
  2. Outros mais formas de remessa, entre em contato com seu gerente de clientes.

Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
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O método de pagamento pode ser escolhido entre os seguintes métodos: Transferência Bancária (T/T, Transferência Bancária), União Oeste, Cartão de Crédito, PayPal.

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