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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleSUP65P04-15-E3
Vishay Siliconix
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

SUP65P04-15-E3 - Vishay Siliconix

Fabricante Modelo do Produto
SUP65P04-15-E3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modelo do Produto
32D-SUP65P04-15-E3
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
SUP65P04-15-E3.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 5000

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas SUP65P04-15-E3
Vishay Siliconix - SUP65P04-15-E3 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Vishay Siliconix - SUP65P04-15-E3

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série TrenchFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 15mOhm @ 30A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3.75W (Ta), 120W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Bulk  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)  
Número do produto base SUP65  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Vishay Siliconix SUP65P04-15-E3

Atributo do Produto SUP65P04-15-E3 SUP60N10-16L-E3 SUP70N03-09BP-E3 SUP60N06-12P-E3
Modelo do Produto SUP65P04-15-E3 SUP60N10-16L-E3 SUP70N03-09BP-E3 SUP60N06-12P-E3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V 100 V 30 V 60 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
RDS ON (Max) @ Id, VGS 15mOhm @ 30A, 10V 16mOhm @ 30A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 12mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipação de energia (Max) 3.75W (Ta), 120W (Tc) 150W (Tc) 93W (Tc) 3.25W (Ta), 100W (Tc)
Número do produto base SUP65 SUP60 SUP70 SUP60
Característica FET - - - -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1970 pF @ 30 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacote Bulk Tube Tube Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 65A (Tc) 60A (Tc) 70A (Tc) 60A (Tc)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Série TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 19 nC @ 5 V 55 nC @ 10 V

SUP65P04-15-E3 PDF da folha de dados

Faça o download do SUP65P04-15-E3 PDF Datahets e Vishay Siliconix Documentation para SUP65P04-15-E3 - Vishay Siliconix.

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Packaging Information.pdf
Obsolescência PCN/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf

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Custo de entrega

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Região País Hora logística (dia)
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Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
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Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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